반도체 발열의 주요 원인 1) 미세 공정트랜지스터 밀집도가 증가하면서 전자 이동 거리가 짧아지고 연산 성능은 높아지지만, 그만큼 발열도 심화됩니다.2) 클럭 속도 증가연산 성능을 높이기 위해 클럭 속도를 높이면 전력 소모가 증가하고 더 많은 열이 발생합니다.3) 스위칭 과정트랜지스터가 온/오프를 반복하면서 데이터를 처리하는 과정에서 에너지 손실이 발생하며, 이로 인해 발열이 증가합니다.4) 트랜지스터 간섭밀도가 증가할수록 트랜지스터 간 간섭이 심해지고, 누설 전류가 늘어나 발열 문제가 더욱 심각해집니다. 엔비디아 GB200 NVL72 서버 1) 고성능 설계트랜지스터 2080억 개 탑재, 연산 성능 20PFLOPS.PFLOPS : 1초당 20경(20×10¹⁵) 번의 부동소수점 연산을 처리할 수 있는 ..